Od listopada możemy spodziewać się zewnętrznych nośników wyposażonych w interfejs Super Speed USB (USB 3.0). Taka wiadomość znalazła sie na stronie firmy FREECOM (producent pamięci masowych, systemów NAS, nagrywarek) Produkt ma mieć oznaczenie XS 3.0 i będzie dostępny w trzech wersjach pojemności: 1TB (ok. 330 zł), 1.5 i 2TB. Napędy oferują kompatybilność z interfejsem 2.0 i wykorzystywały będą zewnętrzne zasilanie.

mSATA (mini-SATA) nowy typ złącza interfejsu w porównaniu do standardowego SATA wyróżnia się bardziej kompaktowymi wymiarami. mSATA pozwoli na produkcję dysków twardych o mniejszych wymiarach. Interfejs znajdzie zastosowanie głównie w netbookach oraz coraz bardziej popularnych laptopach o zmniejszonej wadze i grubości, a także w komputerach stacjonarnych typu Small Form Factor.

Samsung poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych na rynku zmiennofazowych pamięci PRAM Phase Change RAM – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym. Wykorzystano zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (różna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW.

Technologia PRAM łączy w sobie zalety pamięci NAND Flash (nieulotność) oraz RAM (szybkość) i może w przyszłości zrewolucjonizować rynek pamięci. W chwili obecnej jej wadą jest jednak niska gęstość zapisu danych, oznaczająca stosunkowo niewielką pojemność produkowanych kości oraz wysokie ceny.