Samsung poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych na rynku zmiennofazowych pamięci PRAM Phase Change RAM – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym. Wykorzystano zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (różna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW.

Technologia PRAM łączy w sobie zalety pamięci NAND Flash (nieulotność) oraz RAM (szybkość) i może w przyszłości zrewolucjonizować rynek pamięci. W chwili obecnej jej wadą jest jednak niska gęstość zapisu danych, oznaczająca stosunkowo niewielką pojemność produkowanych kości oraz wysokie ceny.