Skip to content

Dyski twarde od A do Z | Forum - Dysk twardy i nie tylko

Increase font size Decrease font size Default font size
Jesteś: News arrow Krzem arrow Dyski z "krzemu"
Dyski z "krzemu" Utwórz PDF Drukuj Poleć znajomemu
12.11.2008.

samsun_ssd.jpgDyski z "krzemu"
 
Tanie pamięci półprzewodnikowe, nie tracące swojej zawartości po wyłączeniu zasilania, zawsze były marzeniem konstruktorów sprzętu cyfrowego. Na początku takimi pamięciami były tylko pamięci ROM (Read Only Memory – pamięć tylko do odczytu), do których zawartość wpisywana była w procesie produkcyjnym. Ogromną wadę pamięci ROM stanowiła niemożność zmiany ich zawartości, sporo kłopotu sprawiało również przygotowanie produkcji. A co najgorsze, w przypadku produkcji niewielkiej liczby sztuk, wcale nie były tanie.

Programowalne elektrycznie pamięci ROM zrealizowano, wykorzystując tranzystory polowe z izolowaną bramką – po wprowadzeniu do kondensatora, tworzonego przez bramkę i kanał tranzystora, odpowiedniego ładunku elektrycznego, komórka zostawała zaprogramowana logiczną jedynką lub zerem, w zależności od ładunku. Tak zrealizowane pamięci PROM (Programmable ROM) pozwalały nawet na kasowanie ich zawartości i ponowne programowanie, jeśli tylko epoksydowa obudowa układu została wyposażona w kwarcowe okienko, przez które można było naświetlać strukturę wysokoenergetycznym ultrafioletem, w wyniku czego bramki zostawały rozładowane.
 
Pamięci Erasable PROM, początkowo dość kosztowne, szybko staniały do tego stopnia, że przestało być opłacalne kwarcowe okienko – taniej było wymienić całą kostkę.
 
Kasowanie elektryczne

Prace nad problemem elektrycznego kasowania zawartości komórek pamięci EPROM trwały praktycznie od chwili skonstruowania takiej pamięci. Dopiero po 10 latach opracowano taką technologię ferroelektrycznego izolatora bramki, która pozwalała na to, by stosunkowo niewielkim napięciem, przyłożonym we właściwym kierunku, można było tę bramkę rozładować. W ten sposób powstały pamięci EEPROM – Electrically Erasable PROM, a w niedługim czasie po nich, pamięci EAROM – Electrically Alterable ROM. Różnica między tymi typami pamięci sprowadzała się do tego, że w przypadku EEPROM kasowaniu ulegała cała zawartość pamięci, zaś w przypadku EAROM – zawartość jednego wiersza pamięci. Różnica zasadnicza, bo o ile EEPROM pozwalała tylko na zmianę całej zawartości, o tyle zawartość EAROM można już było modyfikować fragmentami, w trybie Read/Modify/Write. Ale nie na wiele to się przydawało – zarówno proces kasowania, jak i ponownego zapisu były zdecydowanie zbyt długie, jak na to, czego wymaga się od pamięci.

Czas zapisu pojedynczego adresu (zwykle 8 bitów) wynosił ok. 0,2 – 0,5 ms, zaś czas kasowania zawartości (zarówno wiersza w EAROM, jak i całej matrycy w EEPROM) był nie do przyjęcia – do 100 ms! Na domiar złego pamięci te wymagały skomplikowanego zasilania – trzech różnych napięć zasilających, z czego dwa były rzędu kilkunastu V i w dodatku miały przeciwną biegunowość. Oczywiście, pomimo tych trudności, pamięci EEPROM i EAROM szybko znalazły wiele zastosowań.
 
Najpierw był Flash BIOS

Do PC pamięci EEPROM trafiły natychmiast, gdy tylko ich cena zaczęła na to pozwalać – możliwość przedłużenia „moralnego życia” płyty głównej przez wymianę BIOS-u była bardzo atrakcyjna dla producentów komputerów. Tym bardziej, że dostępność takich pamięci zbiegła się w czasie z początkiem dywersyfikacji Standardu PC – stosowane w nich procesory przestały być wiernymi kopiami intelowskich.

Możliwość przystosowania płyty głównej do procesora, który jeszcze nie istniał w chwili produkcji tej płyty uzasadniała zastosowanie EEPROM, a później nieco łatwiejszej w obsłudze i pewniejszej w działaniu EAROM, nawet pomimo związanych z tym komplikacji konstrukcyjnych. Konstruktorzy komputerów i innych urządzeń, korzystających z pamięci ROM, byli już usatysfakcjonowani, a i użytkownicy komputerów wyposażonych we Flash BIOS czuli się dobrze ze świadomością, że w razie potrzeby mogą sobie wymienić BIOS bez udziału serwisu. Niestety, wiele pomysłów nowych urządzeń czekało na chwilę, kiedy będą one miały większą pojemność, niższą cenę i będą łatwiejsze w obsłudze oraz szybsze w działaniu.

Prace konstrukcyjne szły równolegle w dwu kierunkach: zwiększania pojemności i upraszczania obsługi. Trzecie napięcie zasilające zlikwidowano stosunkowo szybko, co znakomicie uprościło konstrukcję urządzeń wykorzystujących pamięci Flash ROM, bo z czasem zyskały sobie taką właśnie nazwę. Zaczęły być stosowane w wielu urządzeniach, korzystających z wbudowanego oprogramowania – w komputerowej branży trafiły przede wszystkim do modemów.

Pamięć Flash – mała i wygodna

Rozpowszechnienie w produkcji półprzewodników technologii 0,35 mikrometra pozwoliło na dalsze usprawnienia konstrukcji Flash ROM. Dzięki niższemu napięciu zasilania matrycy pamięci wyeliminowano konieczność stosowania dwu napięć zasilających. Równocześnie, dzięki zwiększeniu gęstości upakowania elementów, wzrosła dwukrotnie pojemność pamięci, a wynikające ze zmniejszenia wymiarów poszczególnych elementów zmniejszenie pojemności bramek umożliwiło znaczne skrócenie czasu zapisu danych.

Jednak zwiększenie pojemności pamięci Flash przyniosło ze sobą kolejny problem – najmniejszą kasowalną jednostkę pojemności pamięci stanowił wciąż jeden wiersz, co w przypadku większych pojemności pamięci prowadziłoby do konieczności niepotrzebnego przepisywania znacznych ilości danych. Np. w przypadku konieczności zmiany kilku bajtów w pamięci o pojemności 256 kB (zawierającej matrycę 512×512 adresów), należałoby zapamiętać i ponownie zapisać 512 bajtów. Niby niewiele, praktycznie jednak w wielu zastosowaniach pamięci Flash jest to zbyt wiele, gdyż proces zapisu staje się zbyt energochłonny, a przecież przeznaczeniem obecnych pamięci Flash jest praca w urządzeniach przenośnych.

Rozwiązanie było proste – matrycę pamięci podzielono na 4 niezależnie adresowane bloki. Kosztem nieznacznego powiększenia powierzchni struktury uzyskano skrócenie zapisywanego bloku do 128 bajtów, co już jest łatwiejsze do przełknięcia. A wzrost powierzchni struktury szybko został skompensowany kolejnym wynalazkiem.
 
 
Rozwój i zastosowanie pamięci Flash  

Zastosowanie ferroelektryku w bramce tranzystora, stanowiącego komórkę pamięci, pozwoliło na sięgnięcie wstecz, do techniki analogowej. Bo natężenie pola elektrycznego, „zapamiętane” w ferroelektryku, może mieć różne wartości, pozostające w związku z napięciem programującym.

A zatem, jeśli komórka pamięci będzie w stanie zapamiętać 4 różne wartości napięć, odpowiadające czterem wartościom logicznym, to uzyskamy dwa bity pojemności jednej komórki pamięci. Gra warta świeczki – w normalnym trybie rozwoju technologii układów scalonych podwojenie pojemności, uzyskiwane dzięki zmniejszeniu wymiarów (np. z technologii 0,35 na 0,25 mikrometra), pociąga za sobą ogromne koszty
 
inwestycyjne. Logicznie rozwiązanie było bardzo proste: wystarczy zastąpić wzmacniacze zapisu 2-bitowymi przetwornikami cyfrowo-analogowymi, zaś wzmacniacze odczytu – przetwornikami analogowo-cyfrowymi. Życie nie jest co prawda takie proste, ale obecnie większość dużych pamięci Flash jest produkowana już w tej technologii, natomiast firmy prowadzą intensywne prace nad „upchnięciem” w jednej komórce następnych dwu bitów.

Tymczasem pamięci Flash znajdują coraz szersze obszary zastosowań. Od największych, montowanych w zespoły złożone z kilku – kilkunastu układów i przeznaczonych jako pamięci dla różnego rodzaju urządzeń (cyfrowe aparaty fotograficzne, cyfrowe dyktafony czy zastępujące dysk stały karty PCcards), aż do zupełnie małych, stanowiących integralny element tzw. Smart Cards, czyli kart chipowych, które w najbliższym czasie mają zastąpić popularne obecnie karty magnetyczne. Od zastosowania w Smart Cards wszystkie nośniki informacji, oparte na chipach pamięci Flash, coraz częściej zaczynają być określane jako Smart Media. Należą do tej grupy zarówno wylansowane przez Intela (który jest, obok AMD, jednym z głównych producentów pamięci tego rodzaju) „krzemowe dyski”, jak i większe gabarytowo rozwiązania, zawierające chip w plastikowej karcie wielkości karty kredytowej (Smart Card) czy w obudowie karty PCMCIA.

Pamięci Flash są w porównaniu z innymi typami pamięci półprzewodnikowych bardzo powolne – czas dostępu dla odczytu to co najmniej 250 ns, a praktycznie prawie dwukrotnie więcej. Czas cyklu zapisu to, w zależności od długości bloków danych w pamięci, od 30 do 100 ms. Dla wielu zastosowań jest to nie do przyjęcia wolno. Cóż począć w takim przypadku? Pozostają jedynie pamięci statyczne, zamknięte w jednej obudowie z podtrzymującym ich zasilanie akumulatorem litowo-jonowym. Akumulator jest doładowywany z urządzenia dokonującego zapisu lub odczytu, a kiedy pamięć nie jest używana, pobiera tak niewielki prąd, że pojemność akumulatora wystarcza praktycznie na dwa do trzech lat.

Tymczasem kości Flash wciąż tanieją, a ich pojemność rośnie. Karta SmartMedia zawierająca 30 MB pamięci Flash nie jest już żadnym ewenementem, a chociaż na razie potrzeba byłoby 100 takich kart, by zastąpić przeciętny dysk stały, to kto wie, czy w ciągu kilku lat pamięci Flash nie zaczną konkurować z dyskami, przynajmniej w segmencie sprzętu przenośnego.

 
« poprzedni artykuł